【摘要】 一种相变化存储装置及其制造方法。相变化内存装置，包括：基底，其上设置有第一介电层；第一电极，设置于该第一介电层内；第二介电层，位于该第一介电层上；加热电极，设置于该第二介电层内；相变化材料层，位于该第二介电层上；以及第二电极，位于该相变化材料层之上，其中该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。 【专利类型】发明申请 【申请人】财团法人工业技术研究院; 力晶半导体股份有限公司; 南亚科技股份有限公司; 茂德科技股份有限公司; 华邦电子股份有限公司 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810190672.8 【申请日】2008-12-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764194A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764194B 【授权公告日】2012-02-15 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24 【发明人】李乾铭; 黄明政; 庄仁吉; 林家佑; 王敏智 【主权项内容】一种相变化存储装置，包括：基底；第一介电层，设置于该基底上；第一电极，设置于该第一介电层内；第二介电层，位于该第一介电层上并覆盖该第一电极；加热电极，设置于该第二介电层内并接触该第一电极；相变化材料层，位于该第二介电层上且接触该加热电极；以及第二电极，位于该相变化材料层上，其中该加热电极具有接触该第一电极的第一部以及接触该相变化材料层的第二部，该第二部包括金属硅化物而该第一部不包括金属硅化物。 【当前权利人】力晶积成电子制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】8 【被自引次数】1.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】8
