【摘要】 本发明公开了一种用于擦除以及恢复存储器阵列的方法。存储器阵列包括存储单元的多个扇区。在擦除存储器阵列的扇区后，检查存储器阵列的所有存储单元，以发现存储器阵列的其它未擦除扇区中的已编程存储单元。若发现已编程存储单元，则编程并验证已编程存储单元，直至已编程存储单元的阈值电压达到编程验证电压。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810100703.6 【申请日】2008-05-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101308703B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101308703B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C16/14; G11C16/34 【发明人】洪俊雄; 史毅骏 【主权项内容】一种用于擦除以及恢复存储器阵列的方法，所述存储器阵列包括存储单元的多个扇区，其特征在于，所述用于擦除以及恢复存储器阵列的方法包括：选定所述存储器阵列中待擦除的扇区；擦除所述选定的扇区中的存储单元；以及对所述存储器阵列中不在所述选定的扇区中的存储单元执行阈值电压恢复；其中，所述阈值电压恢复的执行进一步包括：自所述存储器阵列检测已编程存储单元；编程所述已编程存储单元，直至所述已编程存储单元通过编程验证；以及重复检测以及编程，直至所述存储器阵列的所有所述已编程存储单元均通过所述编程验证。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】11.0 【家族被引证次数】16
