【摘要】 一种高压侧驱动电路，包含靴带电容器、P通道金属氧化物半导体、N通道金属氧化物半导体以及非重迭电路。所述靴带电容器耦接高压侧晶体管的源极。所述P通道金属氧化物半导体的漏极耦接所述高压侧晶体管的栅极。所述N通道金属氧化物半导体的漏极耦接所述P通道金属氧化物半导体的漏极，所述N通道金属氧化物半导体的源极耦接所述高压侧晶体管的源极。所述非重迭电路的第一输出端耦接所述P通道金属氧化物半导体的所述栅极，而第二输出端耦接所述N通道金属氧化物半导体的所述栅极。 【专利类型】发明申请 【申请人】广闳科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县竹北市台元街28号5楼之5 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810166589.7 【申请日】2008-10-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728948A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728948B 【授权公告日】2012-08-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H02M3/155; H02M3/04 【发明人】关侃胜 【主权项内容】一种高压侧驱动器，包含：靴带电容器，具有正端与负端，其中该正端耦接电压源，该负端耦接高压侧晶体管的源极及低压侧晶体管的漏极；P通道金属氧化物半导体，具有源极、漏极与栅极，其中该P通道金属氧化物半导体的该源极耦接该靴带电容器，该P通道金属氧化物半导体的该漏极耦接该高压侧晶体管的栅极；N通道金属氧化物半导体，具有源极、漏极与栅极，其中该N通道金属氧化物半导体的该漏极耦接该P通道金属氧化物半导体的该漏极，该N通道金属氧化物半导体的该源极耦接该高压侧晶体管的源极；以及非重迭电路，包含：输入端，用以接收讯号；第一输出端，用以根据该讯号，输出第一驱动讯号至该P信道金属氧化物半导体的该栅极，其中该第一输出端于第一时间，输出该第一驱动讯号的前缘；且该第一输出端于第二时间，输出该第一驱动讯号的后缘；以及第二输出端，用以根据该讯号，输出第二驱动讯号至该N信道金属氧化物半导体的该栅极，其中该第二输出端于第三时间，输出该第二驱动讯号的前缘；且该第二输出端于第四时间，输出该第二驱动讯号的后缘，其中该第一时间与该第三时间相差一第一时间差，该第二时间与该第四时间相差一第二时间差。。 【当前权利人】广闳科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县竹北市台元街28号5楼之5 【家族引证次数】3.0
