【摘要】 本发明公开了一种半导体封装构造，其包含一承载器、一芯片、一加强件、一散热片及一主动式散热器。该芯片及该加强件配置于该承载器上。该散热片配置于该加强件上，并包含一贯穿开口。该主动式散热器配置于该芯片上，并位于该贯穿开口内。本发明的半导体封装构造可同时包含该主动式散热器及该被动式散热器，该主动式散热器没有被该被动式散热器所覆盖，用以将该芯片的热量经由该主动式散热器直接排出该半导体封装构造外，以达到快速散热的效果。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾高雄市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810091215.3 【申请日】2008-04-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101276795B 【公开公告日】2010-04-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101276795B 【授权公告日】2010-04-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/34; H01L23/367; H01L23/38 【发明人】黄东鸿; 李长祺 【主权项内容】一种半导体封装构造，包含：一承载器；一芯片，配置于该承载器上；一加强件，配置于该承载器上；一散热片，配置于该加强件上，并包含一贯穿开口；以及一主动式散热器，配置于该芯片上，并位于该贯穿开口内。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】6
