【摘要】 本发明提供一种整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置的制造方法， 其包括提供一半导体衬底具有一第一区域和一第二区域，其中第一区域包括 一CMOS组件，且第二区域包括一BJT组件。顺应性地沉积一介电层于所述 半导体衬底上。移除部份的所述介电层，以形成一间隙壁于所述CMOS组件 的一栅极结构的侧壁上，并留下残留薄的所述介电层于所述BJT组件上。完 全移除所述残留薄的所述介电层，并完成所述整合CMOS组件及BJT组件的 半导体装置。 【专利类型】发明申请 【申请人】世界先进积体电路股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810213016.5 【申请日】2008-08-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656231A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656231B 【授权公告日】2011-07-20 【授权公告年份】2011.0 【发明人】宋建宪; 周永隆; 陈俞勋; 蔡政哲 【主权项内容】1.一种整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置的制造方法，其特征在 于，所述整合CMOS组件及BJT组件的半导体装置的制造方法包括： 提供一半导体衬底具有一第一区域和一第二区域，其第一区域包括一 CMOS组件，且其第二区域包括一BJT组件； 顺应性地沉积一介电层于所述半导体衬底上； 移除部份的所述介电层，以形成一间隙壁于所述CMOS组件的一栅极结 构的侧壁上，并留下残留薄的所述介电层于所述BJT组件上；以及 完全移除所述残留薄的所述介电层，并完成所述整合CMOS组件及BJT 组件的半导体装置。 【当前权利人】世界先进积体电路股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区
