【摘要】 -官网 一种晶片级直立式的二极管封装结构及其制作方法，该二极管封装结构包 括：一第一型半导体材料层、一第二型半导体材料层、一绝缘单元、一第一导 电结构及一第二导电结构。第二型半导体材料层连接于第一型半导体材料层的 一表面。绝缘单元环绕包覆第一型半导体材料层的周围及第二型半导体材料层 的周围。第一导电结构成形于第一型半导体材料层的表面上及绝缘单元的一侧 边上。第二导电结构成形于第二型半导体材料层的表面上及绝缘单元的另外一 相反侧边上。通过绝缘单元、第一导电结构及第二导电结构，以将第一型半导 体材料层及第二型半导体材料层全部包覆。本发明降低了“材料成本”及“加 工成本”，二极管封装结构的导电路径较短，且导电特性较佳。 【专利类型】发明申请 【申请人】宏齐科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810161100.7 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685836A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685836B 【授权公告日】2012-05-30 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L29/861; H01L23/48; H01L23/31; H01L21/329; H01L21/78; H01L21/50; H01L21/56; H01L21/60 【发明人】汪秉龙; 萧松益; 陈政吉 【主权项内容】1、一种晶片级直立式的二极管封装结构，其特征在于，包括： 一第一型半导体材料层； 一第二型半导体材料层，其连接于该第一型半导体材料层的一表面； 一绝缘层，其选择性地环绕包覆该第一型半导体材料层的一部分周围、 环绕包覆该第一型半导体材料层的周围、或环绕包覆该第一型半导体材料层 的周围及该第二型半导体材料层的一部分周围； 一第一导电结构，其成形于该第一型半导体材料层的表面上及该绝缘层 的表面上；以及 一第二导电结构，其成形于该第二型半导体材料层的表面上。 【当前权利人】宏齐科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族引证次数】4.0
