【摘要】 本发明是有关于一种存储单元阵列的制造方法与存储装置，其是基于 蘑菇状相变化存储单元阵列，其是由形成一分离层于一接点阵列之上、形 成一隔离层于分离层之上、以及由蚀刻工艺形成一存储元件开口阵列于隔 离层之中而完成。蚀刻掩膜是形成于存储元件开口中，其形成方法是补偿 了存储元件开口的尺寸变化，因为开口的尺寸变化会受到蚀刻工艺的影 响。蚀刻掩膜是用以蚀刻穿过分离层以定义一电极开口阵列。电极材料是 沉积于电极开口之中；以及存储元件是形成于存储元件开口中。这些存储 元件以及底电极是为自动对准的。 【专利类型】发明申请 【申请人】旺宏电子股份有限公司; 国际商用机器公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810149140.X 【申请日】2008-09-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677080A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677080B 【授权公告日】2012-03-14 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L27/24; H01L45/00; G11C16/02; G11C11/56 【发明人】龙翔澜; 林仲汉 【主权项内容】1、一种存储单元阵列的制造方法，其特征在于，包括： 形成一分离层于一基板上，该基板具有一接点阵列； 形成一隔离层于该分离层之上并覆盖该接点阵列，该隔离层包括一材 料其蚀刻特征是与该分离层不同； 利用一图案化工艺而形成一存储元件开口阵列于该隔离层中、该接点 阵列之上的位置； 形成蚀刻掩膜于该开口阵列中的所述存储元件开口中； 利用所述蚀刻掩膜而蚀刻穿透该分离层而定义一电极开口阵列，该电 极开口阵列是外露出在该接点阵列中的对应接点； 在所述电极开口中形成电极，以形成一底电极阵列而连接至该接点阵 列中的对应接点，所述底电极是自动对准至该存储元件开口阵列中的对应 开口、并且位于所述开口的中心； 形成存储元件于该存储元件开口阵列之中、该底电极阵列之上，所述 存储元件包括可程序电阻材料，其中该存储元件具有底表面其具有一底表 面积，且该底电极具有一顶表面其表面积小于该对应存储元件的该底表面 积；以及 形成与所述存储元件连接的顶电极。 ： 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司; 国际商用机器公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号; 美国纽约 【引证次数】10.0 【被引证次数】17 【他引次数】10.0 【被自引次数】3.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】250.0 【家族被引证次数】143
