【摘要】 微信 本发明的一种FPGA芯片，包括多个逻辑单元，该逻辑单元包括基于MTJ的MRAM存储器，多个MRAM构成了逻辑阵列。本发明MTJ中的数据以一种磁性状态存储，不会像电荷那样会随着时间而泄漏，因此在断电的情况下，磁化方向不再变化，数据就可以得到保持；并且在上电时，通过测量MTJ电阻来感应存储的数据状态，快速恢复上次断电前的状态，FPGA重新开始正常工作，缩短了启动时间。 【专利类型】发明授权 【申请人】北方工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100041 北京市石景山区晋元庄5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】石景山区 【申请号】CN200810116700.1 【申请日】2008-07-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399538B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399538B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H03K19/177 【发明人】姜岩峰 【主权项内容】一种FPGA芯片，其包括多个逻辑单元，其特征在于，该逻辑单元包括MRAM存储器，多个MRAM存储器构成了逻辑阵列，该MRAM存储器包括MTJ以及与其连接的MOS场效应管，该MTJ具有固定磁层、薄绝缘隧道隔离层和自由磁层，该MTJ与一个运算放大器的正向输入端连接，该运算放大器的负向输入端连接一个参考电阻，该参考电阻的阻值介于该MTJ的高、低电阻值之间，由位线、数字线及字线输入的信号控制得到该MTJ对应的等效电阻，该运算放大器比较该MTJ对应的等效电阻与该参考电阻，实现该逻辑单元的逻辑功能。 【当前权利人】北方工业大学 【当前专利权人地址】北京市石景山区晋元庄5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1211000040086596XB 【家族被引证次数】3
