【摘要】 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成 核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层 上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层， 该P型欧姆接触层生长在有源层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接 触电极生长在P型欧姆接触层上；一二次金属，该二次金属生长在P型欧 姆接触电极的上面；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N 型欧姆接触层上；一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、 P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两 侧。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116040.7 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621066A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621066B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/144; H01L21/82; H01L31/101; H01L31/18 【发明人】颜廷静; 苏艳梅; 王国东; 种明 【主权项内容】1、一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，其特征在于，包括： 一衬底； 一成核层，该成核层生长在衬底上； 一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上； 一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上； 一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上； 一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极生长在P型欧姆接触层上； 一二次金属，该二次金属生长在P型欧姆接触电极的上面； 一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极生长在N型欧姆接触层上； 一钝化层，该钝化层淀积在N型欧姆接触层、有源层、P型欧姆接触 层、P型欧姆接触电极、二次金属和N型欧姆接触电极的两侧。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】8 【被自引次数】1.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
