【摘要】 一种混联法氧化铝生产的高压溶出的后增浓方法，涉及一种混联法生产氧化铝工艺的改进。其特征在于是将混联法中的烧结法粗液直接碳分，碳分产物经液固分离后底流直接去拜耳法溶出自蒸发器后加增浓溶出，碳分母液返回烧结法溶出配料和去碳分蒸发系统。本发明的方法，对混合法中的烧结法粗液不经脱硅和精致，而直接进行深度碳分，直接碳分的产品氢氧化铝去拜耳法溶出系统后加增浓溶出的工艺流程，有效地减少了直接碳分部分粗液脱硅的能耗，显著降低拜耳法精液苛性分子比，有利于拜耳法生产砂状产品。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国铝业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100082 北京市海淀区西直门北大街62号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810224757.3 【申请日】2008-12-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101462752B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101462752B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01F7/02 【发明人】李光柱 【主权项内容】： 一种混联法氧化铝生产的高压溶出的后增浓方法，其特征在于是将混联法中的烧结法粗液直接碳分，碳分产物经液固分离后底流直接去拜耳法溶出自蒸发器后加增浓溶出，碳分母液返回烧结法溶出配料或去碳分蒸发系统。 【当前权利人】中国铝业股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区西直门北大街62号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】911100007109288314 【家族被引证次数】2
