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彩膜基板及其制造方法专利

发布时间:2026-06-11

【摘要】 本发明涉及一种彩膜基板及其制造方法。彩膜基板包括基板、形成在所述基板上的黑矩阵以及形成在所述黑矩阵之间的彩膜树脂,所述基板与所述黑矩阵之间设置有使所述黑矩阵具有分散外部入射光作用的反射矩阵。制造方法包括:在基板上形成具有曲率表面的反射矩阵;形成黑矩阵,所述黑矩阵覆盖所述反射矩阵,使所述黑矩阵具有分散外部入射光作用;形成红色树脂、绿色树脂和蓝色树脂。本发明通过在基板上设置反射矩阵,使朝向外部入射光一侧的黑矩阵表面具有分散外部入射光作用,外部进入LCD的外部入射光在黑矩阵30的曲率表面处形成漫反射,将外部入射光分散,从而防止晃眼,并提高了LCD的可视性及画面的清晰度。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810057849.7 【申请日】2008-02-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101515081B 【公开公告日】2010-09-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101515081B 【授权公告日】2010-09-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1335; G03F7/00 【发明人】崔成镇 【主权项内容】一种彩膜基板,包括基板、形成在所述基板上的黑矩阵以及形成在所述黑矩阵之间的彩膜树脂,其特征在于,所述基板与所述黑矩阵之间设置有使所述黑矩阵具有分散外部入射光作用的反射矩阵;所述反射矩阵与所述黑矩阵接触的表面为曲率表面。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】24

  • 【摘要】本发明提供一种高性能聚碳酸酯ABS复合材料及其制备方法。复合材料主要包括聚碳酸酯、ABS和极性化SDS,该复合材料解决PC与ABS两者的相容性问题,同时还大幅度地提高PCABS复合材料的冲击强度,特别是低温冲击强度,而其它力学性能基
  • 【摘要】硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法,能够在沟槽栅功率JFET结构中栅极区的下方形成隐埋的局域绝缘层。其技术方案是:将SOI工艺中的SIMOX或SIMNI技术思路以局域化的方式用于纵向导电的功率器件,在制造功率J
  • 【摘要】本发明涉及一种利用系统余热的污泥干化焚烧系统,所述污泥干化焚烧系统包括:污泥半干化装置,设置有污泥接收部和排放部;污泥焚烧装置,设置有半干化污泥接收部、底渣排放部和烟气排放部;和烟气余热利用装置,设置有烟气接收部和烟气排放部,其中所
  • 【摘要】本发明涉及一类特种有捻包芯复合纱线结构,它是在现有无捻复合纱线基 础上经过传统工艺及设备加工制作后产生的。采用这类纱线制作的织物面料除 具有无捻复合纱线织物特色外,在高档棉针织、毛针织、梭织物和各种功能性 面料的应用方面,提供了更具
  • 【摘要】本发明涉及一种负载对甲苯磺酸铜的介孔材料及其制备方法以及利用其作为催化剂进行酯化反应的工艺。负载对甲苯磺酸铜的SBA-15介孔材料由A和B两部分组成。A为介孔材料SBA-15,B为负载的对甲苯磺酸铜,其中对甲苯磺酸铜在催化剂中的质量
  • 【摘要】本发明涉及一种由乙醇和甲醇制备低碳烯烃的方法,用乙醇原料和甲醇原 料,在分子筛催化剂的存在下,进行脱水反应。本发明的方法不但可以最大 量地生产乙烯和丙烯,而且可以降低能耗,提高对反应条件的控制水平。 【专利类型】发明申请【申请人】中