【摘要】 一种双镶嵌方法，包括：在介质层中形成具有通孔和沟槽的双镶嵌结构；确定包含沉积标准功率在内的沉积工艺参数，所述沉积工艺参数用以在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成具有确定厚度的粘接层，形成于所述侧壁和所述沟槽的底壁的粘接层用以防止在其上覆盖的金属层扩散至所述介质层中；调整所述沉积工艺参数，确定小于所述沉积标准功率的沉积反应功率；利用调整后的沉积工艺参数在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成粘接层，使形成于所述通孔的底壁的粘接层的厚度小于形成于所述沟槽的底壁的粘接层的厚度；去除形成于所述通孔的底壁的粘接层；形成填充所述双镶嵌结构的金属层。可减小接触电阻。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810226382.4 【申请日】2008-11-14 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740478A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740478B 【授权公告日】2013-03-27 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/70 【发明人】聂佳相 【主权项内容】一种双镶嵌方法，其特征在于，包括：在介质层中形成具有通孔和沟槽的双镶嵌结构；确定包含沉积标准功率在内的沉积工艺参数，所述沉积工艺参数用以在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成具有确定厚度的粘接层，形成于所述侧壁和所述沟槽的底壁的粘接层用以防止在其上覆盖的金属层扩散至所述介质层中；调整所述沉积工艺参数，确定小于所述沉积标准功率的沉积反应功率；利用调整后的沉积工艺参数在所述通孔和沟槽的底壁及侧壁上形成粘接层，使形成于所述通孔的底壁的粘接层的厚度小于形成于所述沟槽的底壁的粘接层的厚度；去除形成于所述通孔的底壁的粘接层；形成填充所述双镶嵌结构的金属层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】1 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1
