【摘要】 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其 制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型 GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量 子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)， 由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)， 出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR 材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制， 而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119582.X 【申请日】2008-09-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101667716A 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101667716B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01S5/183; H01S5/187; H01S5/343; H01S5/00 【发明人】渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠 【主权项内容】1.一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述激 光器包括： 一N电极(1)，该N电极(1)制作在衬底(2)的下面； 一衬底(2)，该衬底(2)为N型GaAs衬底； 一下分布布拉格反射镜(3)，包括32个周期的N型GaAs/AlGaAs层 (18)和(19)组成，用于反射激光腔内的光来形成激光振荡； 一有源区(4)，该有源区(4)通过键合方法与N型分布布拉格反射 镜(3)连接，用来形成光增益； 一上分布布拉格反射镜(5)，通过键合的方法制作在有源区(4)上 方位置，用于形成电流注入孔径，并用于反射激光腔内的光来形成激光振 荡； 一SiO2掩膜(8)，沉积在有源区(4)和上布拉格反射镜(5)上，起 到绝缘的作用和形成出光窗口(10)目的； -P电极(9)，该P电极(9)制作在有源区P型DBR的两侧，形 成内腔接触，用于电流注入； -出光窗口(10)。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】29 【被自引次数】2.0 【被他引次数】27.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】29
