【摘要】 本发明涉及“III族氮化物半导体发光二极管”，属于化合物半导体技术领域。III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2-3倍。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京宇极科技发展有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100081 北京市海淀区中关村南大街5号理工科技大厦2111室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810114715.4 【申请日】2008-06-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101290965B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101290965B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00; H01L33/06 【发明人】王海嵩; 熊志军; 张磊; 鲍鹏 【主权项内容】III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。。 【当前权利人】北京宇极科技发展有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南大街5号理工科技大厦2111室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】911101087786309946 【家族被引证次数】8
