【摘要】 一种场发射电子器件的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上分别制备多个平行且等间隔设置的行电极引线与多个列电极引线，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线相互交叉形成一网格；在上述绝缘基底上制备多个阳极电极与多个阴极电极，在每个网格中间隔设置一阳极电极与一阴极电极；形成一碳纳米管薄膜结构覆盖于上述设置有电极和电极引线的绝缘基底上；切割碳纳米管薄膜结构，使阳极电极与阴极电极之间的碳纳米管薄膜结构断开，形成多个平行排列的碳纳米管长线固定于阴极电极上作为阴极发射体，从而得到一场发射电子器件。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810065180.6 【申请日】2008-01-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101483123B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101483123B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01J9/02; H01J1/304; H01J9/04 【发明人】柳鹏; 刘亮; 姜开利; 范守善 【主权项内容】一种场发射电子器件的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底；在该绝缘基底上分别制备多个平行且等间隔设置的行电极引线与列电极引线，该多个行电极引线与列电极引线交叉设置形成网络，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线相互交叉形成一网格；在上述绝缘基底上制备多个阳极电极与多个阴极电极，在每个网格中间隔设置一阳极电极与一阴极电极；形成一碳纳米管薄膜结构覆盖于上述设置有电极和电极引线的绝缘基底上，该碳纳米管薄膜结构中的碳纳米管的排列方向从阴极电极向阳极电极延伸；切割碳纳米管薄膜结构，使阳极电极与阴极电极之间的碳纳米管薄膜结构断开，形成多个平行排列的碳纳米管长线固定于阴极电极上作为阴极发射体，从而得到一场发射电子器件。 【当前权利人】清华大学; 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室; 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【专利权人类型】公立; 有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】12100000400000624D; 914403007084307436 【引证次数】3.0 【自引次数】2.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】24.0 【家族被引证次数】21
