【摘要】 本发明公开了一种应用于反应腔室内部的气体分配装置，包括基座、覆盖环、挡板以及第一进气通道，在所述挡板内墙上设置有通孔，并且所述覆盖环的杯壁遮盖住所述挡板内墙上的通孔，借助于所述通孔而形成第二进气通道，所述第二进气通道包括所述基座与所述挡板内墙之间的间隙、所述通孔、以及所述挡板内墙与所述覆盖环之间的间隙，这样，工艺气体可经由所述第一进气通道和/或第二进气通道而进入到反应腔室内。此外，本发明还公开一种应用上述气体分配装置的半导体处理设备。本发明提供的气体分配装置和半导体处理设备不仅具有较大的工艺窗口，而且其结构还较为简单，便于加工、安装和维护，且成本较低。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810104664.7 【申请日】2008-04-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101567304B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101567304B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; C23C14/35; H01J37/34 【发明人】肖青平 【主权项内容】一种应用于反应腔室内部的气体分配装置，包括基座、覆盖环、挡板以及第一进气通道，其中所述基座置于反应腔室底部，用以支撑待处理的半导体器件；所述挡板包括外墙、内墙以及连接在二者之间的中间连接部分，所述挡板外墙环绕反应腔室内壁设置，所述挡板内墙环绕所述基座设置并与其保持有间隙，以供工艺气体通过，而且，所述挡板内墙的顶端低于所述基座的上表面；所述覆盖环呈大致杯形，罩扣在所述基座和所述挡板内墙的外围，并且杯底为中空的环形且置于所述基座之上，杯壁环绕所述挡板内墙和所述基座，所述覆盖环与所述挡板内墙之间保持有间隙；所述第一进气通道包括所述挡板内墙与所述基座之间的间隙以及所述挡板内墙与所述覆盖环之间的间隙，其特征在于：所述挡板内墙上设置有通孔，并且所述覆盖环的杯壁遮盖住所述挡板内墙上的通孔，借助于所述通孔而形成第二进气通道，所述第二进气通道包括所述基座与所述挡板内墙之间的间隙、所述通孔、以及所述挡板内墙与所述覆盖环之间的间隙，这样，工艺气体可经由所述第一进气通道和第二进气通道而进入到反应腔室内。。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】17
