【摘要】 本发明公开了一种磁性形状记忆合金的材料及其单晶制备方法。该 磁性单晶材料的化学式为Ni50+xFe25-xGa25+y，其中-2.00≤x≤2.00；-3.00 ≤y≤2.00；x、y表示原子百分比含量。其单晶制备方法包括将称好的料 盛放在坩埚中，并加入SiO2+B2O3玻璃，采用提拉法生长Ni50+xFe25-xGa25+y 单晶。本发明的单晶制备过程中加入了SiO2+B2O3玻璃，有效地控制了本 发明规定成分的NiFeGa材料在单晶生长过程中容易产生的第二相析出。 此外，本发明提供的制备方法适用于常规的提拉晶体的设备，而不需要 附加设备，因此，成本低、易于工业化批量生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810055808.4 【申请日】2008-01-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100587092C 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100587092C 【授权公告日】2010-02-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C22C19/03; C30B29/52; C30B15/00 【发明人】朱伟; 陈京兰; 吴光恒 【主权项内容】1.一种磁性形状记忆合金单晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)按化学式Ni50+xFe25-xGa25+y 其中：-2.00≤x≤2.00；-3.00≤y≤2.00；x、y表示原子百分比 含量，称料； (2)将称好的料盛放在坩埚中，并加入Si02+B203玻璃，坩锅采用含Si02 的玻璃材料； (3)采用常规的提拉法生长单晶，其生长条件为：加热原料到使之熔融； 其熔融环境为1×10-2到5×10-5Pa的真空或0.01到1MPa正压力的 氩气保护气体；以0.5-50转/分钟的速率旋转的籽晶杆下端固定一 个成分相同或接近的、具有所需要的取向的单晶作为籽晶； (4)在1150-1250℃的熔融温度条件下保持10-30分钟，在上下波动为 0.001-3℃稳定的加热，用籽晶下端接触熔体的液面，然后以3-80 mm/小时的均匀速率提升籽晶杆，将凝固结晶的单晶向上提拉，并 使生长的单晶直径变大或保持一定； (5)当生长的单晶达到所需尺寸时，将单晶提拉脱离熔融的原料表面 以0.5-20℃/分钟的缓慢降低温度冷却至室温，最后取出。 微信 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【引证次数】6.0 【自引次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2
