【摘要】 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A、在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B、在沟道层上依次生长隧穿氧化层、纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C、进行形成台面的工序；D、进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅电极的工序。通过采取快速热退火的方式得到纳米晶层，并采用与耗尽型MOS器件制作工艺相兼容的流程，最终可完成三端耗尽型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器的制作。该方法简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810223345.8 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399209B 【公开公告日】2010-11-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399209B 【授权公告日】2010-11-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/336; H01L21/28; H01L21/8247 【发明人】朱晨昕; 贾锐; 李维龙; 陈晨; 李昊峰; 王琴; 刘明 【主权项内容】一种非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、在半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B、在沟道层上依次生长隧穿氧化层、3nm-8nm厚的材料为二氧化硅的纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C、进行形成台面的工序；D、进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅电极的工序。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6
