【摘要】 本发明揭示不需打金线的垂直半导体外延薄膜封装，其结构包括：封装管壳(包括：第一金属基座、第二金属基座、绝缘材料支架)，层叠在第一金属基座上的半导体外延薄膜，覆盖在封装管壳和半导体外延薄膜上的钝化层，图形化的电极。第一和第二金属基座将分别与外界电源的两个电极电联接。绝缘材料支架把第一和第二金属基座固定在预定的位置。钝化层在半导体外延薄膜的上方和第二金属基座的上方具有窗口。图形化的电极通过钝化层在半导体外延薄膜表面上方的窗口，层叠在半导体外延薄膜上，并向第二金属基座的方向延伸，通过钝化层在第二金属基座上方的窗口，层叠在第二金属基座上，使得半导体外延薄膜通过图形化电极与第二金属基座电联接。 【专利类型】发明授权 【申请人】金芃; 彭晖 【申请人类型】个人 【申请人地址】100871 北京市海淀区北京大学大学燕东园33楼112号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810006666.2 【申请日】2008-01-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101256989B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101256989B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/04; H01L33/00; H01L33/38; H01L33/44; H01L33/48 【发明人】彭晖 【主权项内容】一种垂直结构半导体外延薄膜封装，其特征在于，所述的垂直结构半导体外延薄膜封装包括：一个封装管壳；其中，所述的封装管壳包括：至少一个第一金属基座，至少一个第二金属基座和绝缘支架；所述的第一金属基座和第二金属基座分别包括第一主表面和第二主表面；所述的绝缘支架包括第一主表面和第二主表面；所述的绝缘支架的第一主表面和第二主表面分别与所述的第一金属基座和第二金属基座的第一主表面和第二主表面有相同的方向；所述的封装管壳包括第一主表面和第二主表面；所述的封装管壳的第一主表面和第二主表面分别由所述的第一金属基座、第二金属基座和绝缘支架的第一主表面和第二主表面构成；所述的第一金属基座和第二金属基座互相电绝缘，所述的第一金属基座和第二金属基座将分别与外界电源的两个电极电联接；所述的绝缘支架把所述的第一和第二金属基座固定在预定的位置；至少一个半导体外延薄膜；所述的半导体外延薄膜包括：第一类型限制层，活化层和第二类型限制层；所述的活化层层叠在所述的第一类型限制层和所述的第二类型限制层之间；导电反射/欧姆/键合层；所述的导电反射/欧姆/键合层层叠在所述的半导体外延薄膜的第二类型限制层与所述的第一金属基座的第一主表面之间；一个钝化层；所述的钝化层层叠在所述的封装管壳的第一主表面和所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上；所述的钝化层在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层的上方和所述的对应的第二金属基座的第一主表面的上方的预定的位置上具有窗口；图形化的电极；其中，所述的图形化的电极通过所述的钝化层在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上的窗口，层叠在所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层上，并向所述的对应的第二金属基座的第一主表面延伸，通过所述的钝化层在所述的对应的第二金属基座的第一主表面的窗口，层叠在所述的对应的第二金属基座的第一主表面上，使得所述的半导体外延薄膜的第一类型限制层通过所述的图形化电极与所述的对应的第二金属基座电联接。 【当前权利人】亚威朗光电(中国)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省海盐县海盐经济开发区大桥新区银滩路1号 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【自引次数】3.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】15
