【摘要】 一种取样光栅分布布拉格反射半导体激光器及其与半导体光放大器集成的制作方法，包括：在n型InP衬底上分别外延InP缓冲层和介质膜；在介质膜上刻出条形凹槽，并依次生长InGaAsP下限制层、InGaAsP/InGaAsP多量子阱、InGaAsP上限制层和InP光栅制作保护层；去除介质膜；刻出多条取样光栅窗口；制作取样光栅；腐蚀保护层；依次生长p-InP层、p-InGaAsP刻蚀阻止层、p-InP层和p+-InGaAs层；形成脊形波导；刻蚀形成电隔离沟；在p-InGaAsP刻蚀阻止层上进行He离子注入；在上述步骤制作的器件结构的上表面和脊形波导的侧面淀积介质绝缘层；在器件的上表面溅射p电极；将衬底减薄，并蒸发n电极，解理管芯，完成器件的制作。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116039.4 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621179B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621179B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01S5/125; H01S5/22; H01S5/343; H01S5/00 【发明人】刘泓波; 赵玲娟; 潘教青; 朱洪亮; 王圩 【主权项内容】一种取样光栅分布布拉格反射半导体激光器及其与半导体光放大器集成的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在n型InP衬底上外延InP缓冲层和InGaAsP保护层；步骤2：在InGaAsP保护层上淀积介质膜；步骤3：对介质膜的部分区域进行条形掩膜光刻，刻出条形凹槽，刻蚀深度至InP缓冲层，形成选择生长区和非选择生长区；步骤4：在选择生长区的条形凹槽内和非选择生长区表面上依次生长InGaAsP下限制层、InGaAsP/InGaAsP多量子阱、InGaAsP上限制层和InP光栅制作保护层；步骤5：湿法腐蚀去除选择生长区的介质膜；步骤6：在InP光栅制作保护层上，横向掩膜光刻出多条取样光栅窗口，刻蚀深度至InGaAsP上限制层；步骤7：在取样光栅窗口内的InGaAsP上限制层上制作取样光栅；步骤8：湿法腐蚀去除InP光栅制作保护层；步骤9：在InGaAsP上限制层和选择生长区的InGaAsP保护层上依次生长p-InP层、p-InGaAsP刻蚀阻止层、p-InP层和p+-InGaAs层；步骤10：将步骤9生长的p-InP层和p+-InGaAs层两侧的部分区域进行刻蚀，形成脊形波导；步骤11：将脊形波导上的p+-InGaAs层选择性刻蚀，形成不同功能段的电隔离沟；步骤12：在电隔离沟内和脊形波导两侧暴露出的p-InGaAsP刻蚀阻止层上进行He离子注入，使脊形波导以外的区域表面，特别是电隔离沟成为高阻区；步骤13：在上述步骤制作的器件结构的上表面和脊形波导的侧面淀积介质绝缘层，并腐蚀掉脊形波导上表面的介质绝缘层，使之暴露出p+-InGaAs层；步骤14：在暴露出p+-InGaAs层的上表面溅射p电极；步骤15：将衬底减薄，并蒸发n电极，解理管芯，完成器件的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】5.0 【被引证次数】9 【自引次数】3.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】18
