【摘要】 LaB6多晶块体阴极材料的快速制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。现有LaB6阴极材料的制备技术存在烧结温度高、时间长、工艺复杂等问题。本发明将LaB6粉末置于模具中压实后放入SPS烧结炉内，施加30-50MPa压力，采用高纯氩气气氛或真空度高于5Pa的真空，以90-200℃/min的升温速度升温，烧结温度为1400-1700℃，保温时间为5-20min，随炉冷却，即可得到LaB6多晶块体。本发明方法在降低烧结温度、缩短烧结时间，简化工艺流程的同时，大幅提高了LaB6阴极的力学性能和发射性能。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100124 北京市朝阳区平乐园100号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810225030.7 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101381085B 【公开公告日】2010-07-21 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101381085B 【授权公告日】2010-07-21 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B35/04 【发明人】张久兴; 周身林; 刘丹敏 【主权项内容】一种LaB6多晶块体阴极材料的快速制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将LaB6粉末装入石墨模具中，加压压实后，放入SPS烧结炉中进行烧结，烧结工艺为：轴向压力30-50MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空，以90-200℃/min的升温速度升温，烧结温度为1400-1700℃，保温时间为5-20min，随炉冷至室温，得到LaB6多晶块体阴极材料。 【当前权利人】北京工业大学 【当前专利权人地址】北京市朝阳区平乐园100号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12110000400687411U 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【自引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】16
