【摘要】 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其中薄膜晶体管阵列基板包括栅线、数据线和像素电极，在数据线的上方形成有与数据线接触的透明导电层，透明导电层与像素电极不相连。制造方法包括：在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层；沉积钝化层；通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层；沉积透明导电层；通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，数据线上方的透明导电层与像素电极不相连。本发明避免了线性不良问题，且不需要维修从而避免造成像素不良，提高了TFT-LCD的良品率。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810057931.X 【申请日】2008-02-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101515587B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101515587B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L23/522; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/1362 【发明人】申伟; 权基瑛; 刘华 【主权项内容】一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、与源漏电极同层的数据线和像素电极，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，其特征在于，在所述数据线的上方形成有与所述数据线接触的透明导电层，所述透明导电层的材料与所述像素电极相同，并且与所述像素电极形成在同层上，所述透明导电层与所述像素电极不相连。。微信 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
