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掩膜版及其制造方法专利

发布时间:2026-06-10

【摘要】 本发明涉及一种掩膜版及其制造方法,其中该掩膜版包括:上基板;第一透明导电排线,位于所述上基板并朝第一方向排列;第一透明绝缘膜,位于所述第一透明导电排线上方并覆盖所述上基板;下基板;第二透明导电排线,位于所述下基板并朝第二方向排列,所述第二方向垂直于所述第一方向;第二透明绝缘膜,位于所述第二透明导电排线上方并覆盖所述下基板;所述上基板和所述下基板之间夹有液晶。本发明的掩膜版,通过第一透明导电排线和第二透明导电排线形成垂直电场,形成透射区域和非透射区域。从而克服了现有的制造工艺中需要多个掩膜版的缺陷。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810247423.8 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770091A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】G02F1/13; G02F1/1333 【发明人】周伟峰; 郭建; 明星 【主权项内容】一种掩膜版,其特征在于,包括:上基板;第一透明导电排线,位于所述上基板并朝第一方向排列;第一透明绝缘膜,位于所述第一透明导电排线上方并覆盖所述上基板;下基板;第二透明导电排线,位于所述下基板并朝第二方向排列,所述第二方向垂直于所述第一方向;第二透明绝缘膜,位于所述第二透明导电排线上方并覆盖所述下基板;所述上基板和所述下基板之间夹有液晶。 【当前权利人】北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】13 【被自引次数】7.0 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】13

  • 【摘要】本发明提供一种海底管线焊接方法,其特征在于,操作步骤包括:(一) 焊前准备:包括制备焊接接头坡口并清理、将两根管体对接处的接口进行装 配、对施焊部位进行焊前预热以及选定焊接材料;(二)采用STT表面张力过 渡焊方法进行打底焊接;(三
  • 【摘要】一种机翼流动控制装置,在飞机主机翼的上表面靠近翼前缘设置机翼流动控制装置,该装置由平行设置的基频条带和亚谐频条带组成,基频条带和亚谐频条带均为锯齿形,在起飞阶段前襟翼伸出露出机翼流动控制装置,从而控制机翼的附面层快速转捩形成湍流附面
  • 【摘要】本发明提供用于使活细胞中核与染色体成像的融合蛋白。本发明 还提供包含所述融合蛋白的成像剂、编码所述成像剂的核酸、包含所 述核酸的核酸构建体、载体,以及包含所述成像剂、核酸、核酸构建体 或载体的细胞和包含上述之一的试剂盒。本文所提供成
  • 【摘要】一种形成掺杂阱及图像传感器的方法,其中形成掺杂阱的方法,包括:在半导体衬底上形成氧化硅层;在氧化硅层上形成光刻胶层后,刻蚀光刻胶层和氧化硅层至露出半导体衬底,定义掺杂阱图形;灰化光刻胶层至露出氧化硅层,增大掺杂阱图形的关键尺寸;以光
  • 【摘要】 本发明提供一种铝层的生长方法,适用于集成电路制造工艺,包括:在 温度低于270℃而高于零度的环境温度下,生长用于制作导电层的铝Al层。 本发明还提供一种MIM板。采用本发明提供的技术方案,本发明的具体实施 中,通过在低温环境温度下
  • 【专利类型】外观设计【申请人】张宝和【申请人类型】个人【申请人地址】102600 北京市大兴区黄村镇兴丰街道林校北里2号楼5单元102【申请人地区】中国【申请人城市】北京市【申请人区县】大兴区【申请号】CN200830325742.7【申请