【摘要】 一种形成掺杂阱及图像传感器的方法，其中形成掺杂阱的方法，包括：在半导体衬底上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成光刻胶层后，刻蚀光刻胶层和氧化硅层至露出半导体衬底，定义掺杂阱图形；灰化光刻胶层至露出氧化硅层，增大掺杂阱图形的关键尺寸；以光刻胶层及氧化硅层为掩膜，沿增大后的掺杂阱图形，向半导体衬底注入离子，形成深度梯度分布的掺杂阱；去除光刻胶层和氧化硅层。本发明还提供形成图像传感器的方法。本发明能将掺杂阱的关键尺寸能控制均匀，且工艺步骤简化。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810105627.8 【申请日】2008-04-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101572249B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101572249B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/822; H01L27/146 【发明人】洪中山; 刘蓓; 霍介光 【主权项内容】一种形成掺杂阱的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成光刻胶层后，经过曝光显影工艺，在光刻胶层上定义出第一掺杂阱图形；以光刻胶层为掩膜，沿第一掺杂阱图形刻蚀氧化硅层至露出半导体衬底；灰化光刻胶层至露出氧化硅层，增大第一掺杂阱图形的关键尺寸至预定尺寸，形成第二掺杂阱图形；以光刻胶层及氧化硅层为掩膜，沿增大后的第二掺杂阱图形，向半导体衬底注入离子，形成深度梯度分布的掺杂阱；去除光刻胶层和氧化硅层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】5
