【摘要】 本发明提供一种铝层的生长方法，适用于集成电路制造工艺，包括：在 温度低于270℃而高于零度的环境温度下，生长用于制作导电层的铝Al层。 本发明还提供一种MIM板。采用本发明提供的技术方案，本发明的具体实施 中，通过在低温环境温度下生长导电层中的Al层，使长出的Al层相比较高 温环境下长出的Al层表面更加平整且厚度均匀，适用于IC制造的微小化工 艺尺寸的环境。且由于在较低环境下长Al，使得IC或MIM板上Al的制造 工艺过程简单。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810222115.X 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101673678A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101673678B 【授权公告日】2011-03-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/283; H01L21/3205; H01L21/02 【发明人】康芸; 杨瑞鹏; 聂佳相 【主权项内容】1、一种铝层的生长方法，其特征在于，适用于集成电路制造工艺，包 括： 在温度低于270℃而高于零度的环境温度下，生长用于制作导电层的铝 Al层。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2
