【摘要】 本发明涉及一种封闭型双层纳米碳管分子级存储单元，包括：内外管均封闭的双层纳米碳管，平放于绝缘基体之上，且内层碳管的长度小于外层碳管；第一、第二电极，沉积于所述双层纳米碳管的前后两端，且电极平面与碳管的轴向垂直；在所述第一、第二电极间的电压驱动下，所述内层碳管可在外层碳管内作无接触的运动；第三、第四电极，沉积于所述双层纳米碳管的前端左右两侧；第五、第六电极，沉积于所述双层纳米碳管的后端左右两侧；且电极平面与碳管的轴向平行。本发明的技术方案通过碳管分子间的运动，利用纳米碳管独特的电学、力学性质，设计出双稳态分子存储单元，容易组装，具有很高的集成密度及较长的工作寿命，同时具有非易失性。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119707.9 【申请日】2008-09-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101354913B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101354913B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C13/00 【发明人】韩平畴; 叶森斌 【主权项内容】一种封闭型双层纳米碳管分子级存储单元，其特征在于，该存储单元包括：内外管均封闭的双层纳米碳管，平放于绝缘基体之上，且内层碳管的长度小于外层碳管；第一、第二电极，沉积于所述双层纳米碳管的前后两端，且电极平面与碳管的轴向垂直；在所述第一、第二电极间的电压驱动下，所述内层碳管可在外层碳管内作无接触的运动；第三、第四电极，沉积于所述双层纳米碳管的前端左右两侧；第五、第六电极，沉积于所述双层纳米碳管的后端左右两侧；且电极平面与碳管的轴向平行；所述第一、第二电极与写入电路连接，控制所述内层碳管停留在所述外层碳管的前端或后端，并分别定义为“0”或“1”；所述第三、第四电极及第五、第六电极与读取电路连接，通过检测不同的输出信号测定所述内层碳管所处的不同位置，进而读出数据“0”或“1”。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
