【摘要】 本发明提供了一种脉冲宽度调制PWM开关电源，解决了现有技术中PWM电源的效率局部最优的问题，该开关电源包括脉宽调制PWM控制器，金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组，所述MOSFET组还包括至少一个被控MOSFET，每个所述至少一个被控MOSFET与所述第一MOSFET或第二MOSFET并联；所述脉冲宽度调制开关电源还包括状态控制模块，所述状态控制模块用于根据控制参数控制所述至少一个被控MOSFET的工作状态，使所述MOSFET组从第一工作状态改变为第二工作状态，降低MOSFET组的总功率损耗。本发明提高了开关电源的效率，实现了全局最优的效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】联想(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100085 北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227940.9 【申请日】2008-12-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101753052A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101753052B 【授权公告日】2013-01-16 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H02M7/523; H02M7/527; H02M7/505 【发明人】张敏 【主权项内容】一种脉冲宽度调制开关电源，包括：脉宽调制PWM控制器，用于生成第一PWM信号和与所述第一PWM信号反相的第二PWM信号，并输出所述第一PWM信号和第二PWM信号；金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET组，所述MOSFET组包括第一MOSFET和第二MOSFET，所述第一MOSFET的栅极用于接收所述第一PWM信号，所述第二MOSFET的栅极用于接收所述第二PWM信号；电感，一端与电源输出端口连接，另一端与所述第一MOSFET和第二MOSFET连接；电容，一端接地，另一端连接到所述电感和所述电源输出端口之间的通道上；其特征在于：所述MOSFET组还包括至少一个被控MOSFET，每个所述至少一个被控MOSFET与所述第一MOSFET或第二MOSFET并联；所述脉冲宽度调制开关电源还包括状态控制模块，所述状态控制模块用于根据控制参数控制所述至少一个被控MOSFET的工作状态，使所述MOSFET组从第一工作状态改变为第二工作状态，在所述第二工作状态下，所述MOSFET组的总功率损耗小于所述第一工作状态下所述MOSFET组的总功率损耗。 微信 【当前权利人】联想(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区上地信息产业基地创业路6号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91110108700000458B 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3
