【摘要】 一种在柔性基底上制备致密CuInSe2薄膜的方法，属于光伏电池技术领域。其特征在于，采用恒电流共沉积法在金属钛薄片或者不锈钢薄片制备Cu-In合金预制膜，将Cu-In合金预制膜在硒蒸汽中硒化，硒化处理温度为250～300℃，保温时间30～40min，得到符合化学计量比的CIS薄膜；对CIS薄膜进行压制，一种是在室温下压制，压强为150～200MPa，另一种是将模具和试样共同加热到40～60℃再进行压制，压强为300～600MPa；压制后的CIS薄膜进行热处理，热处理温度为400～500℃，保温时间为30～60min，最终得到致密、表面平滑的CIS薄膜。与常用的镀钼玻璃相比成本低廉，而且是一种方便实用的柔性衬底；整个过程都在无毒的条件下进行，操作简单易行，适合实际生产。。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810102921.3 【申请日】2008-03-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101250731B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101250731B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C25D3/56; C22F1/16 【发明人】果世驹; 王延来; 聂洪波; 王义民; 杨霞 【主权项内容】一种太阳能电池用铜铟硒薄膜的制备方法，其特征在于，制备过程分为四步：1)采用恒电流共沉积法制备Cu-In合金预制膜，金属钛薄片或者不锈钢薄片作为阴极，石墨作为阳极，电流密度为2～3mA/cm2，所得Cu-In合金预制膜中铟铜原子摩尔含量的比为1.1/1～1.3/1；2)将Cu-In合金预制膜在硒蒸汽中硒化，保护气氛为H2或N2，硒化处理温度为250～300℃，保温时间30～40min，得到符合化学计量比的CIS薄膜；3)采用其中一种方法对CIS薄膜进行压制，一种是在室温下压制，压强为150～200MPa，另一种是将模具和试样共同加热到40～60℃再进行压制，压强为300～600MPa；4)压制后的CIS薄膜在H2或N2中进行热处理，热处理温度为400～500℃，保温时间为30～60min，得到CIS薄膜。 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【家族被引证次数】6
