【摘要】 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示装置。该方法包括：在衬底基板已形成的钝化层上、在设定温度下沉积a型氧化铟锡，并结晶形成poly型氧化铟锡晶粒；采用构图工艺形成像素电极的透过区和反射区，并刻蚀掉反射区的a型氧化铟锡而露出poly型氧化铟锡晶粒；在反射区的poly型氧化铟锡晶粒上形成金属膜。该阵列基板的钝化层上还设置有同层设置的透过膜和反射膜作为像素电极，透过膜的材质为含有poly型氧化铟锡晶粒的a型氧化铟锡；反射膜包括poly型氧化铟锡晶粒和覆盖在poly型氧化铟锡晶粒上的金属膜。该液晶显示装置采用本发明的阵列基板。本发明改善了液晶显示装置反射膜的反射效果，且能提高生产效率，降低生产成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810103436.8 【申请日】2008-04-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101552241B 【公开公告日】2010-11-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101552241B 【授权公告日】2010-11-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L27/12; G02F1/1362; G02F1/133 【发明人】刘圣烈 【主权项内容】一种阵列基板制造方法，其特征在于包括：步骤1、在衬底基板上采用构图工艺形成栅极扫描线、薄膜晶体管、数据线、以及覆盖在最上层的钝化层及过孔；步骤2、在完成步骤1的所述衬底基板上、在设定温度下沉积a型氧化铟锡，在所述a型氧化铟锡中结晶形成poly型氧化铟锡晶粒；步骤3、在完成步骤2的所述衬底基板上，采用构图工艺在衬底基板上形成像素电极，所述像素电极包括透过区和反射区，并采用曝光刻蚀工艺刻蚀掉所述反射区的a型氧化铟锡而露出所述poly型氧化铟锡晶粒以形成反射区图形；步骤4、在完成步骤3的所述衬底基板上沉积金属材料，采用构图工艺在所述反射区图形上形成金属膜。 【当前权利人】京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区酒仙桥路10号; 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】17
