【摘要】 本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤：提供衬底，且在所述衬底上具有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上具有介质层；在所述介质层上定义通孔图形；进行第一刻蚀，在所述介质层内形成通孔开口，至暴露出所述刻蚀停止层；进行第二刻蚀，去除所述通孔开口内的刻蚀停止层，且所述第二刻蚀中所用的气体包括刻蚀反应气体及辅助气体，其中，刻蚀反应气体包括含氟气体，辅助气体包括质量小于氩气的气体。本发明还公开了对应的一种双镶嵌结构的形成方法，本发明的通孔及双镶嵌形成方法避免了在通孔侧壁下方出现凹陷的问题，提高了通孔或双镶嵌结构的形成质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810225760.7 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740477A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740477B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/311; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】孙武; 王新鹏; 尹晓明 【主权项内容】一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，且在所述衬底上具有刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层上具有介质层；在所述介质层上定义通孔图形；进行第一刻蚀，在所述介质层内形成通孔开口，至曝露出所述刻蚀停止层；进行第二刻蚀，去除所述通孔开口内的刻蚀停止层，且所述第二刻蚀中所用的气体包括刻蚀反应气体及辅助气体，其中，刻蚀反应气体包括含氟气体，辅助气体包括质量小于氩气的气体。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3
