【摘要】 本发明涉及制备P型氧化锌半导体体材料的方法，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下热压烧结制得p型ZnO多晶体体材料。该方法制备的P型ZnO半导体体材料，其载流子浓度为1.0×1013～21cm-3，电阻率为1×100.01-3Ω.cm，迁移率为0.01～13cm2.V-1.S-1。本发明方法所获得的p型ZnO多晶体的半导体体材料结晶质量好；制备重复性好；适于工业化生产，为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料。 该数据由<>整理 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】130033 吉林省长春市东南湖大路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】长春市 【申请人区县】二道区 【申请号】CN200810050450.6 【申请日】2008-03-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101311364B 【公开公告日】2010-12-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101311364B 【授权公告日】2010-12-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B29/16; C30B28/02; H01L31/0296 【发明人】秦杰明; 姚斌; 张吉英; 申德振; 赵东旭; 张振中; 李炳辉 【主权项内容】一种制备p型氧化锌半导体体材料的方法，其特征在于，是以摩尔百分比为95％～99.9％ZnO和5％～0.1％Sb的混合粉体为原料，将该混合粉体预压成型后装入叶腊石模块腔体内，在六面顶压机压力室中，在压力为2～5.4GPa、温度为1400～1600℃条件下保温保压20分钟，即获得p型ZnO多晶体体材料。 【当前权利人】中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 【当前专利权人地址】吉林省长春市东南湖大路16号 【统一社会信用代码】1210000041275487XF 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【他引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
