【摘要】 本发明公开了一种制造发光元件阵列的方法，包含形成发光叠层于基板之上；移除部分发光叠层以形成至少一沟槽，并将发光叠层划分成第一发光元件与第二发光元件；移除部分第一发光元件与第二发光元件的第二半导体层与发光层，以曝露部分第一发光元件与第二发光元件的第一半导体层；形成第二电极于第二半导体层之上，与第一电极于暴露的第一半导体层之上；形成绝缘层于发光叠层与沟槽之上，绝缘层封闭沟槽以于沟槽之中形成至少一空洞；以及形成电连接线电连接第一发光元件的第一电极与第二发光元件的第二电极。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810169439.1 【申请日】2008-10-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728322A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728322B 【授权公告日】2012-03-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L21/82; H01L27/15; H01L21/70 【发明人】刘宗宪; 陈昭兴; 郭政达 【主权项内容】一种制造发光元件阵列的方法，包含：提供基板；形成发光叠层于该基板之上，其中该发光叠层包含：第一半导体层，位于该基板之上；发光层，位于该第一半导体层之上；及第二半导体层，位于该发光层之上；移除部分该发光叠层以形成至少一沟槽，其中该沟槽曝露部分该基板，并将该发光叠层分隔成至少一第一发光元件与第二发光元件；移除部分该第一发光元件的该第二半导体层与该发光层与该第二发光元件的该第二半导体层与该发光层以曝露部分该第一发光元件的该第一半导体层与该第二发光元件的该第一半导体层；于各该第二半导体层之上形成第二电极；于各该暴露的第一半导体层之上形成第一电极；以及形成绝缘层于该发光叠层与该沟槽之上，该绝缘层大致封闭该沟槽以于该沟槽之中形成至少一空洞。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】6 【被自引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
