【摘要】 一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基底、高压元件、中压元件及低压元件。基底包括高压电路区、中压电路区以及低压电路区。高压元件位于高压电路区上。中压元件位于中压电路区上。低压元件位于低压电路区上。中压元件的结构与高压元件的结构相同，但与低压元件的结构不同。另外，高压元件、中压元件与低压元件分别具有第一栅介电层、第二栅介电层与第三栅介电层，其中第二栅介电层的厚度小于第一栅介电层的厚度。 【专利类型】发明申请 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810172998.8 【申请日】2008-10-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728391A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728391B 【授权公告日】2012-10-10 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L27/088; H01L21/8234; H01L27/085; H01L21/70 【发明人】陈锦隆; 黄瀚民 【主权项内容】一种半导体元件，包括：基底，包括高压电路区、中压电路区以及低压电路区；具有第一导电型的第一井区，位于该基底中；具有第二导电型的高压元件，位于该高压电路区上；具有该第二导电型的中压元件，位于该中压电路区上；以及具有该第二导电型的低压元件，位于该低压电路区上，其中该中压元件的结构与该高压元件的结构相同，但与该低压元件的结构不同，且该高压元件、该中压元件与该低压元件分别具有第一栅介电层、第二栅介电层与第三栅介电层，其中该第二栅介电层的厚度小于该第一栅介电层的厚度。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1
