【摘要】 本发明涉及一种集成电路，其包括第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其具有第一深N型井区与受该第一深N型井区的第一掺杂浓度影响的第一受控制路径；及第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管，其具有第二深N型井区与受该第二深N型井区的第二掺杂浓度影响的第二受控制路径，其中该第二受控制路径并联于该第一受控制路径，该第一受控制路径与该第二受控制路径具有相同的类型但具有不同的导通性质，且该类型为N型与P型的其中之一。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】盛群半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市科学工业园区研新二路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810087013.1 【申请日】2008-03-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101546769B 【公开公告日】2010-12-22 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101546769B 【授权公告日】2010-12-22 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/088; H01L21/8234 【发明人】邓志辉; 张藤宝 【主权项内容】一种集成电路，其特征在于，包含：一第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管，具有一第一深N型井区与受该第一深N型井区的第一掺杂浓度影响的一第一受控制路径；及一第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管，具有一第二深N型井区与受该第二深N型井区的第二掺杂浓度影响的一第二受控制路径，其中该第二受控制路径并联于该第一受控制路径，该第一受控制路径与该第二受控制路径具有相同的类型但具有不同的导通电压，且该类型为N型与P型的其中之一。 【当前权利人】盛群半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市科学工业园区研新二路3号 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1
