【摘要】 本发明公开了一种制造反向T型浮动栅极存储器的方法，因为增加该浮动栅极表面积，而使该浮动栅极存储装置具有一较高的耦合率。本发明还公开了一种具有非矩型横截面浮动栅极的存储装置，该非矩型横截面可为一反向T型、一U型、一梯型或一双反向T型。该存储装置具有一横截面形状的浮动栅极，像是一反向T型，如此使得具有一顶轮廓为一非平坦的区段。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810175433.5 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101436568B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101436568B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L21/28; H01L21/336 【发明人】赖二琨; 施彦豪; 薛铭祥 【主权项内容】一种用来形成具有一存储装置的半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含：提供一半导体衬底；在该衬底上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一第一导电层；擦除部分该第一导电层、部分该第一介电层以及部分该半导体衬底，以形成至少二个彼此隔开的浅沟槽，并由该第一导电层延伸至该半导体衬底；在该多个浅沟槽内形成一绝缘层以填充该多个浅沟槽，并突出于该第一导电层的一顶表面，以提供至少二个绝缘突出部位；沿着该多个绝缘突出部位的侧壁形成一侧壁绝缘体；以及在该第一导电层上形成一第二导电层以填充至在侧壁绝缘体之间的缺口以形成一反向T型导体，该反向T型导体包含该第一导电层的一部位以及该第二导电层的一部位。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】7
