【摘要】 本发明提供一种形成浅沟槽隔离的方法，尤其是一种圆化浅沟槽隔离边 角的方法。在一优选实施例中，包括以一介电材料填入沟槽，并凹蚀介电材 料以露出邻近衬底表面的部分沟槽侧壁。接着在一氢气气氛下对衬底进行回 火，借由硅迁移圆化浅沟槽隔离的边角。本发明沟槽边角的圆化效果大于公 知方法，因此特别适合用在减少45nm以下的元件漏电流。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810170437.4 【申请日】2008-11-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630655A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630655B 【授权公告日】2012-01-18 【授权公告年份】2012.0 【发明人】陈能国; 曾国华; 蔡正原; 许俊豪 【主权项内容】1.一种形成浅沟槽隔离的方法，包括下列步骤： 提供一衬底，该衬底中具有一沟槽，且该沟槽具有侧壁； 以第一填充材料填入该沟槽； 凹蚀该沟槽中的第一填充材料，以露出至少一部分邻近该衬底表面的该 侧壁；以及 在一含氢气且实质上无氧气的气氛下对露出的该侧壁进行回火。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】4 【被自引次数】3.0 【家族被引证次数】12
