【摘要】 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。相较于现有技术的薄膜晶体管数组结构，本发明的结构为使用图案化第一金属层作为数据导线，而使用图案化第二金属层作为栅极导线。在薄膜晶体管组件中，栅极亦位于图案化第一金属层内，并通过接触窗与位于图案化第二金属层的栅极导线呈电性相连。源极与漏极是通过接触窗与数据导线呈电性相连，本发明的结构同时提升了储存电容值与开口率。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810132559.4 【申请日】2008-07-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101308844B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101308844B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/02; H01L27/12; H01L23/522; H01L23/552; H01L21/82; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/1362 【发明人】陈昱丞 【主权项内容】一种半导体结构，适用于一平面显示器，其特征在于，包含：一半导体层，设置于一基板上，具有一源极区与一漏极区；一图案化第一介电层，设置于该半导体层上；一图案化第一金属层，设置于该图案化第一介电层上，其特征在于，该图案化第一金属层包含：一栅极电极，部分设置于部分该半导体层上方；以及一数据导线，部分设置于该半导体层上方；一图案化第二介电层，设置于该图案化第一金属层上；以及一图案化第二金属层，设置于该图案化第二介电层上，其特征在于，该图案化第二金属层包含：一栅极导线，部分设置于部分该栅极电极上方且电性连接于该栅极电极；一共享电极，部分设置于部分该数据导线上方；一源极导线，电性连接该半导体层的该源极区及该数据导线；及一漏极导线，电性连接于该半导体层的该漏极区；其中，该图案化第一介电层与该图案化第二介电层中具有一第一接触窗，该源极导线藉由该第一接触窗电性连接该数据导线与该源极区。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【家族被引证次数】1
