【摘要】 一种元件图案的制造方法，可形成线距小于曝光极限的图案。此方法包括 下列步骤；首先，于衬底上的预定区域中形成具有第一密度的第一图案，第一 图案包括沿着第一方向的基部及沿着第二方向的至少二个突出部，且突出部与 基部相连。接着，于各个突出部的侧壁上形成一个间隙壁，而间隙壁与基部互 不接触，且位于相邻两个突出部之间的间隙壁彼此互不接触，而在相邻两个突 出部之间形成间隙。然后，于衬底上形成第二图案，第二图案位于该间隙之中， 以于预定区域中定义出具有第二密度的第三图案，第三图案由第一图案与第二 图案所组成。 【专利类型】发明申请 【申请人】南亚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810166118.6 【申请日】2008-09-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685765A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685765B 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00 【发明人】张誉耀 【主权项内容】1.一种元件图案的制造方法，包括： 于一衬底上的一预定区域中形成具有一第一密度的一第一图案，该第一图 案包括沿着一第一方向的一基部及沿着一第二方向的至少二个突出部，且该些 突出部与该基部相连，而该第一方向和该第二方向相互相交； 于各该突出部的侧壁上形成一间隙壁，而该些间隙壁与该基部互不接触， 且位于相邻两个突出部之间的该些间隙壁彼此互不接触，而在相邻两个突出部 之间形成一间隙；以及 于该衬底上形成一第二图案，该第二图案位于该间隙之中，以于该预定区 域中定义出具有一第二密度的一第三图案，其中该第三图案是由该第一图案与 该第二图案所组成。 【当前权利人】南亚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 【家族引证次数】3.0
