【摘要】 。本发明公开了一种半导体元件的线路面的连接垫上的金属凸块结构及形成方法，所述方法步骤包括：依序将一绝缘层以及一铜箔放置于该半导体元件线路面的一上面；在该连接垫上面的该绝缘层与该铜箔内形成一导通孔；至少在该导通孔的一孔壁上形成一薄金属层，该薄金属层将该铜箔与该连接垫相连接；在该铜箔的一上面形成一第一抗电镀膜，该抗电镀模具第一开口，该第一开口至少暴露出涂布有该薄金属层的该导通孔；以及于该第一开口内，电镀一金属材料，至达成适当的厚度。本发明由于不使用昂贵的凸块下金属层制造过程，从而降低生产成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】俞宛伶 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾台北市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810188347.8 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764113A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764113B 【授权公告日】2012-02-29 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L23/485; H01L21/60 【发明人】俞宛伶 【主权项内容】一种于半导体元件的线路面的连接垫上形成金属凸块的方法，其特征在于，该方法至少包含下列步骤：依序将一绝缘层以及一铜箔放置于该半导体元件线路面的一上面；在该连接垫上面的该绝缘层与该铜箔内形成一导通孔；至少在该导通孔的一孔壁上形成一薄金属层，该薄金属层将该铜箔与该连接垫相连接；在该铜箔的一上面形成一第一抗电镀膜，该抗电镀模具第一开口，该第一开口至少暴露出涂布有该薄金属层的该导通孔；以及于该第一开口内，电镀一金属材料，至达成适当的厚度。 【当前权利人】俞宛伶 【当前专利权人地址】中国台湾台北市 【被引证次数】19 【被自引次数】1.0 【被他引次数】18.0 【家族被引证次数】19
