【摘要】 本发明的主要目的是披露一种发光元件，包含半导体叠层，其中具有有源层，且此有源层是由多个量子阱层与多个垒层交错堆叠的多量子阱(multiple quantum well，MQW)结构，其多个垒层中至少有一掺杂垒层(dopedbarrier layer)与一未掺杂垒层(undoped barrier layer)。由此掺杂垒层可提高空穴的载流子迁移率，均匀化有源层中发光区域并提升发光元件的内量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)。 该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810171059.1 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740668A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740668B 【授权公告日】2014-09-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】王俊凯; 洪详竣; 许育宾; 朱瑞溢; 吴欣显; 颜伟昱 【主权项内容】一种发光元件，至少包含第一导电型半导体层、有源层，以及第二导电型半导体层，其中该有源层是由多个量子阱层与多个垒层交错堆叠所组成的多量子阱结构，该多个垒层中至少包含p型掺杂垒层，且最靠近该第一导电型半导体层或该第二导电型半导体层的垒层为未掺杂垒层。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
