【摘要】 本发明利用成长至少一个波长转换材料于发光元件表面，将部分发光元件的光转换为至少一种不同波长的光，再与发光元件但未经转换的光进行混光的过程，最终得到所需的CIE坐标的光源。本发明形成的波长转换材料层的全工艺可以于外延反应器内完成，不需额外的黄光光刻工艺，减少外延片受污染的机会。另外，相较于诸多的现有技术中，发光元件的p-n结位置不会改变，可保留原发光元件的发光效率。再者，波长转换材料为化合物半导体，可根据材料的能阶任意改变所需要的波长。同时，可对波长转换材料层形成具有粗化的表面，因而增加元件的光取出效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810167918.X 【申请日】2008-10-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728462A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】黄世晟; 涂博闵; 叶颖超; 林文禹; 吴芃逸; 詹世雄 【主权项内容】一种多波长发光二极管，包含：一基板；一化合物半导体复合层位于该基板上，其中该化合物半导体复合层包含一N型导电的半导体层，一P型导电的半导体层，以及一有源层位于该N型导电的半导体层与该P型导电的半导体层之间，该有源层可激发出一第一波长的激发光；以及一第一波长转换层位于该化合物半导体复合层上，其中该第一波长转换层吸收部分该有源层的第一波长的激发光而放射出一第二波长的激发光，该第二波长大于该第一波长。 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 荣创能源科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号; 中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 【引证次数】10.0 【被引证次数】17 【他引次数】10.0 【被他引次数】17.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】17
