【摘要】 本发明公开了一种薄膜晶体管形成于一透明基板上。薄膜晶体管包括一图案化半导体层、一栅极绝缘层位于图案化半导体层上、一栅极位于栅极绝缘层上，以及一图案化光吸收层。图案化半导体层包括一通道区，以及一源极区与一漏极区分别位于通道区两侧的图案化半导体层内。图案化光吸收层位于透明基板与图案化半导体层之间。 -官网 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810132098.0 【申请日】2008-07-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101330106B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101330106B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/786; H01L27/12; H01L21/336; G02F1/1362; G02F1/1368 【发明人】卓恩宗; 胡晋玮; 孙铭伟; 赵志伟; 彭佳添; 林昆志 【主权项内容】一种薄膜晶体管，形成于一透明基板上，其特征在于，该薄膜晶体管包括：一图案化半导体层，位于该透明基板上，包括：一通道区；以及一源极区与一漏极区，分别位于该通道区两侧的该图案化半导体层内；一栅极绝缘层，位于该图案化半导体层上；一栅极，位于该栅极绝缘层上；以及一图案化硅纳米晶粒介电层，位于该透明基板与该图案化半导体层之间，用于吸收一光线。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12
