【摘要】 本发明是关于一种反或(NOR)型闪存的制造方法，使得在存储器组件尺寸进一步缩小时，不需再于栅极结构两侧额外形成氧化层间隔层，而直接以绝缘层间隔物或浅沟槽绝缘层填满，避免于过小的栅极结构间距中形成氧化层间隔层，而造成工艺困难度大幅提高的问题。且亦能省去栅极结构间，形成自动对准金属硅化物层所需的自动对准步骤，而避免于过小的栅极结构间距中，发生自动对准的困难。 【专利类型】发明申请 【申请人】宜扬科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810188258.3 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752318A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/8247; H01L21/70 【发明人】吴怡德; 李永忠; 陈宜秀 【主权项内容】一种反或型闪存的制造方法，其特征在于，所述方法包含：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成二栅极结构；以一绝缘层间隔物填满该些栅极结构间的空隙；刻蚀该绝缘层间隔物，使其与该些栅极结构的表面平齐；于该些栅极结构表面各形成一自动对准金属硅化物层；于该些栅极结构间刻蚀一接触孔；及于该接触孔形成一插塞。 【当前权利人】宜扬科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹县
