【摘要】 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，其结构包括栅极、源极、漏极以及浅沟槽隔离区。在漏极和栅极之间形成的浅沟槽隔离区被用来承受施加到漏极的高电压，并且浅沟槽隔离区与半导体衬底结合以形成凹陷。这样，浅沟槽隔离区的表面低于半导体衬底的表面。可选择地，浅沟槽隔离区的表面比半导体衬底的表面低300～1500埃。本发明的LDMOS结构不仅减小了“导通”电阻，而且增加了击穿电压。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810211719.4 【申请日】2008-09-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399287B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399287B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L29/423 【发明人】何大椿; 汤乾绍; 王哲谊; 钟于彰 【主权项内容】一种横向扩散金属氧化物半导体结构，包括：栅极，其形成在半导体衬底上；源极，其形成在该半导体衬底中；漏极，其形成在该半导体衬底中；以及浅沟槽隔离区，其形成在该半导体衬底中，并且位于该漏极和该栅极之间，其中该浅沟槽隔离区的表面低于该半导体衬底的表面。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】18
