【摘要】 本发明提供一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括一像素电极、一薄膜晶体管以及一储存电容线。像素电极配置于由一扫描线与一数据线所组成的像素的上方。薄膜晶体管包括源极、漏极与栅极，且分别连接于数据线、像素电极及扫描线。储存电容线配置于与数据线平行，并且具有一延伸部与扫描线平行，其中储存电容线与数据线经由图案化同时形成。本发明的阵列基板及其制造方法中采用的储存电容线将延伸至像素电极及扫描线重叠的区域，用以遮蔽部分寄生电容，使得薄膜晶体管关闭的瞬间，减少了对像素电极产生的回踢电压，并解决了同一灰阶画面下，像素电极作极性变换时，因正负极性的压差不一致，而形成画面闪烁的现象。。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810003191.1 【申请日】2008-01-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101207140B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101207140B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/12; H01L23/522; H01L21/84; H01L21/768; G02F1/1362 【发明人】张峻桓 【主权项内容】 。一种阵列基板，其包括：一基板；一栅极金属层，配置于该基板表面，并且作为一栅极与一扫描线；一栅极绝缘层，配置于该基板上，并覆盖该栅极金属层；一半导体层，配置于对应于该栅极上方的该栅极绝缘层表面；一图案化的金属层，配置于该半导体层表面及该栅极绝缘层表面，包括该半导体层表面的一源极及一漏极，以及该栅极绝缘层表面的一储存电容线以及一数据线，其中该储存电容线与该数据线平行，且该储存电容线具有一延伸部平行于该扫描线；一平坦层，覆盖该图案化的金属层、该半导体层及该栅极绝缘层；以及一像素电极，配置于该平坦层表面，该像素电极与该漏极电性连接，且重叠于该扫描线的一部分、该数据线的一部分、该储存电容线的一部分以及该延伸部的一部分。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】5.0 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】28
