【摘要】 一种控制一制程浴中制程稳定性的方法，使用一动态添加模式，其实质上持续监控制程浴中的化学制品浓度，且以规律方式加入新鲜的化学制品，以维持化学制品的浓度在期待程度。维持蚀刻速率及蚀刻选择性在期待程度，且避免不期待沉淀的污染物。此系统及方法自动将浓度程度与多个和各种技术相关的制程控制极限比较，且辨识可能将进行处理的一个技术或多个技术。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810126539.6 【申请日】2008-07-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101399168B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101399168B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/311; G05B19/04 【发明人】俞台勇; 苏裕盛; 许立德; 梁镜麟; 叶士诚; 苏斌嘉 【主权项内容】一种控制一制程浴中制程稳定性的方法，所述制程浴用于处理半导体基材，所述方法包含以下步骤：提供一制程浴；实施多个连续制程批次于所述制程浴中，每一所述制程批次移除至少一部分的至少一膜，所述膜包含硅及至少一另外的成分；在每一所述制程批次之后，基于所述膜的一膜厚参数，计算在所述制程浴中的硅浓度；总和每一所述制程批次的每一硅浓度，以决定一聚集硅浓度；将所述聚集硅浓度与多个控制极限的每一个比较，每一所述控制极限相关于一对应技术；对于每一所述技术，结束所述制程浴中的制程批次，其中，所述聚集硅浓度在相关控制极限之外；基于所述聚集硅浓度而决定分配至所述制程浴的一化学制品的一体积，以确认在所述制程浴中的聚集硅浓度在所述控制极限内；以及直接或间接地自动添加所述体积的化学制品至所述制程浴中。 【当前权利人】台积电(中国)有限公司 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1
