【摘要】 本发明是有关于具有可编程电阻存储元件(例如硫属化物材料元素)的非易失性存储单元，进行更新操作。更新操作包括一加热信号与一冷却信号，其中加热信号的功率是比复位信号高，而冷却信号的维持时间则比设置信号长。 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810095424.5 【申请日】2008-04-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101295539B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101295539B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G11C11/56 【发明人】陈介方; 陈逸舟 【主权项内容】一种非易失性集成电路，其特征在于，包括：至少一非易失性存储单元，其包括：一可编程电阻元件其具有多个物理状态以储存数据；控制电路，其是用以施加多个电气信号至该至少一非易失性存储单元，该多个电气信号包括：多个信号，其是施加至该至少一非易失性存储单元以使该至少一非易失性存储单元储存数据，该多个信号包括：一复位信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件来储存该多个物理状态的一第一物理状态；一设置信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件来储存该多个物理状态的一第二物理状态；多数个信号，用以施加至该至少一非易失性存储单元以维持该至少一非易失性存储单元的储存数据能力，该多数个信号包括：一加热信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件储存该多个物理状态的该第一物理状态，其中施加至该可编程电阻元件的该加热信号是以高于该复位信号的功率进行；一冷却信号，用以致使该至少一非易失性存储单元的该可编程电阻元件储存该多个物理状态的该第二物理状态，其中施加至该可编程电阻元件的该冷却信号其持续时间是大于该设置信号。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】12.0
