【摘要】 本发明是有关于一种同轴晶体管结构，揭示了一种在基板上的同轴晶体管，尤其是同轴结构的金属-氧化层-半导体场效晶体管，并可以堆栈芯片或基板(Wafer Bonding)及轴心通孔贯串连接制成更高集积度、无闩锁效应的同轴全对称互补型金属-氧化层-半导体场效晶体管集成电路。本发明将现有习知PMOS制成同轴化结构CPMOS的方法、及现有习知NMOS制成同轴化结构CNMOS的方法及再将两者上下颠倒接合而成完全对称的互补型同轴金属氧化层半导体场效晶体管CCMOS结构等方法可彻底解决闩锁效应，并可提高集积度及反应速度的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】杨春足 【申请人类型】个人 【申请人地址】中国台湾高市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810171195.0 【申请日】2008-10-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728431A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728431B 【授权公告日】2011-11-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L29/41; H01L27/092; H03K19/0948; H03K19/20; H01L29/66; H01L27/085; H01L29/02; H01L29/40 【发明人】杨春足 【主权项内容】一种同轴晶体管结构，是一种同轴p通道金属-氧化层-半导体场效晶体管结构，为一n型基板(301)或基板的n型井上制作加强型或空乏型同轴晶体管结构，其特征在于其包括：一p掺杂圆环形汲极半导体区(302)；及一p掺杂圆环形源极半导体区(303)；及一在同一基板或井上且介于圆环形源极和汲极半导体区之间所形成圆环形通道区(304)及此圆环形通道区(304)上方且被一氧化层(305)隔绝的圆环形多晶硅或导体闸极(306)；及一连接源极并以自身基板或井当参考电位的基体(307)；及一连接基体(307)和圆环形源极的同轴外环形供电导体层(308)；及一连接汲极“载子集中处”半导体的内轴心导体(309)；或其它作为必要晶体管功用的圆环形组件等材料所组成，其特征为同轴p信道金氧半场效晶体管结构内各圆环形组件及圆环形各极，是以同轴结构型态组成，且其环形闸极(306)的电压控制晶体管产生电流流动方向，为各半径方向地由圆周外环导体层(308)往轴心导体(309)的半径向汇集型式所组成的同轴晶体管者。 【当前权利人】杨春足 【当前专利权人地址】中国台湾高雄市 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2
