【摘要】 本发明公开了一种半导体元件隔离结构及其形成方法。一种半导体元件隔离结构的形成方法，首先，提供基底，基底具有至少一浅沟槽隔离结构。接着，进行金属硅化工艺，该金属硅化工艺包含至少一蚀刻工艺与一清洗工艺，且该金属硅化工艺会于浅沟槽隔离结构表面形成凹陷。之后，形成覆盖层覆盖基底并填入凹陷，接着，进行蚀刻工艺，以去除位于凹陷外的覆盖层，最后，形成接触窗蚀刻停止层覆盖基底并填满凹陷。因预先用覆盖层填补凹陷，使覆盖于基底上与填充于凹陷中的接触窗蚀刻停止层不产生隙缝或孔洞。 【专利类型】发明授权 【申请人】联华电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810109876.4 【申请日】2008-06-05 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101599454B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101599454B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/762; H01L27/02; H01L23/522 【发明人】吕水烟; 叶洸玮; 陈信琦; 陈琮文; 朱庆芳; 白启宏; 陈界得 【主权项内容】一种半导体元件隔离结构的形成方法：提供基底，该基底具有至少一浅沟槽隔离结构；进行金属硅化工艺，该金属硅化工艺包含至少一蚀刻工艺与一清洗工艺，且该金属硅化工艺会于该浅沟槽隔离结构表面形成凹陷；形成覆盖层覆盖该基底并填入该凹陷；进行蚀刻工艺，去除位于该凹陷外的该覆盖层；以及形成接触窗蚀刻停止层覆盖该基底并填满该凹陷。 【当前权利人】联华电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8
