【摘要】 一种半导体元件的制造方法及其结构，包含：提供缓冲层，并在缓冲 层表面形成第一半导体层，接着在外延过程中利用高浓度掺杂物质的方式在 第一半导体层表面形成第一置入层，然后在第一置入层表面覆盖第二半导体 层，最后，再在第二半导体层上成长半导体发光元件，其中形成第一置入层 与覆盖第二半导体层为一组程序。本发明利用在外延工艺中高浓度掺杂物质 的方式所形成的置入层，可以降低元件内部的差排缺陷。 【专利类型】发明申请 【申请人】先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810126013.8 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621094A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621094B 【授权公告日】2012-10-17 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】黄世晟; 涂博闵; 叶颖超; 林文禹; 吴芃逸; 詹世雄 【主权项内容】1.一种半导体元件的制造方法，包含： 提供缓冲层； 在该缓冲层表面形成第一半导体层； 在外延过程中利用高浓度掺杂物质的方式在该第一半导体层表面形成 置入层； 在该置入层表面覆盖第二半导体层，其中形成该置入层与覆盖该第二半 导体层为一组程序；与 在该第二半导体层上成长半导体发光元件。 【当前权利人】靖江市华晟重金属防控有限公司 【当前专利权人地址】江苏省泰州市靖江市经济技术开发区新港大道29号 【引证次数】7.0 【被引证次数】4 【他引次数】7.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】5
